40纳米工艺保有高可靠性与低成本高良率的优点，引进浸润式光刻机及应变硅技术，相较于55纳米工艺实现更高的整合度，效能增加幅度约20%，操作功耗减少约30%，计算能力大幅提升同时伴随尺寸的缩减与低功耗的表现，目标产品广泛应用于消费电子，无线通信等。